Nederlands
Menu

Etsen

Hoe groot is bij benadering het zijwaarts weggeëtste bedrag (undercut) vanaf de rand van het masker wanneer een film van 1 µm dik met volledig isotroop nat etsen precies tot de ondergrond wordt weggeëtst?

  1. ACirca 1 µm
  2. BCirca 10 µm
  3. CVrijwel 0
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Circa 1 µm

Bij isotroop etsen wordt verticaal en zijwaarts even snel geëtst, dus op het moment dat 1 µm is weggeëtst en de ondergrond is bereikt, is vanaf de rand van het masker ook zijwaarts circa 1 µm weggeëtst (undercut). Door overetsen neemt het zijwaartse etsen nog toe. Er ontstaat dus een afmetingsverandering van minstens de orde van de laagdikte, zodat de methode niet geschikt is voor patronen die smaller zijn dan de laagdikte. Omgekeerd wordt deze eigenschap benut bij onder meer het uithollen van het gebied onder een structuur in MEMS.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Etsen

  1. Welke maatstaf geeft aan hoeveel de zijwand van een door etsen gevormd gat of gevormde sleuf van verticaal afwijkt?
  2. Welk effect van het toevoegen van een beetje zuurstof aan etsen met fluorhoudende gassen is in het algemeen juist?
  3. Welke uitspraak over de verhouding tussen het aantal ionen en radicalen in een gangbaar plasma voor etsen is juist?
  4. Welke methode meet de elektronentemperatuur en dichtheid van een plasma uit de stroom bij variatie van de spanning op een dunne elektrode die in het plasma wordt gestoken?
  5. Hoe heet de vormafwijking bij droog etsen waarbij op de bodem van een sleuf bij de zijwand dieper wordt geëtst dan in het midden, zodat een smalle sleuf ontstaat?

Vergelijkingen bij dit onderwerp