Nederlands
Menu

Etsen

Welk gas kan silicium zonder plasma isotroop etsen, bijvoorbeeld bij het verwijderen van offerlagen in MEMS?

  1. AO2 (zuurstof)
  2. BN2 (stikstof)
  3. CXeF2 (xenondifluoride)
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. XeF2 (xenondifluoride)

XeF2 is een gas dat bij ongeveer kamertemperatuur sublimeert, spontaan met silicium reageert tot onder meer SiF4 en silicium zonder plasma isotroop etst (2XeF2 + Si → 2Xe + SiF4). De selectiviteit ten opzichte van oxide- en nitridefilms, resist en veel metalen is met meer dan 1000 zeer hoog, en omdat geen vloeistof wordt gebruikt treedt nauwelijks stiction op, zodat het wordt gebruikt om MEMS-structuren uit een offerlaag van silicium los te maken.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Etsen

  1. Welke methode maakt het door belichting gevormde resistpatroon met plasma stapsgewijs dunner om lijnen te maken die smaller zijn dan de belichtingslimiet?
  2. Welke maatregel wordt bij het etsen van een gate-elektrode gewoonlijk genomen om de dunne gate-isolator eronder te behouden?
  3. Hoe groot is bij benadering het zijwaarts weggeëtste bedrag (undercut) vanaf de rand van het masker wanneer een film van 1 µm dik met volledig isotroop nat etsen precies tot de ondergrond wordt weggeëtst?
  4. Welke maatstaf geeft aan hoeveel de zijwand van een door etsen gevormd gat of gevormde sleuf van verticaal afwijkt?
  5. Welk effect van het toevoegen van een beetje zuurstof aan etsen met fluorhoudende gassen is in het algemeen juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp