Welke uitspraak over de kenmerken van etsen van het downflow-type, waarbij alleen in het plasma gevormde radicalen aan de wafer worden toegevoerd, is juist?

Antwoord: B. Doordat vrijwel geen ionenbombardement optreedt, is de schade gering en kan isotroop worden geëtst

Bij het downflow-type (remote plasma) wordt de plaats waar het plasma wordt opgewekt gescheiden van de wafer, en onderweg recombineren ionen en elektronen en gaan verloren, zodat alleen neutrale radicalen met een lange levensduur de wafer bereiken. Er vallen geen ionen in en het ultraviolette licht van het plasma wordt tegengehouden, dus de schade is gering en isotroop etsen is mogelijk. Het wordt gebruikt voor het verwijderen van resist, het verwijderen van films in schadegevoelige processen en het verwijderen van SiGe tussen nanosheets.