EUV-belichtingsapparatuur van de volgende generatie met een hogere resolutie, doordat de numerieke apertuur (NA) van de projectieoptiek is vergroot van 0,33 bij het gangbare EUV naar 0,55.
Japanse benaming: High-NA EUV
“High-NA EUV” komt voor in 3 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Lithografie.
Vakgebied: Lithografie
Antwoord: A. De numerieke apertuur van het projectie-optiek is van 0,33 naar 0,55 vergroot, waardoor de resolutie hoger is
De numerieke apertuur van conventionele EUV-belichtingsapparaten is 0,33, maar bij High-NA EUV is die vergroot tot 0,55; de resolutie neemt ongeveer 1,7 keer toe en patronen met een pitch van het begin van de twintigtallen nm kunnen in één belichting worden belicht. De golflengte is dezelfde 13,5 nm. Daar staat tegenover dat de scherptediepte ondieper wordt en door de afhankelijkheid van de verkleining van de richting het belichtbare gebied (shot) de helft van het conventionele is. ASML heeft het ontwikkeld, en een systeem kost naar verluidt ongeveer 50 miljard yen.
De numerieke apertuur van conventionele EUV-belichtingsapparaten is 0,33, maar bij High-NA EUV is die vergroot tot 0,55; de resolutie neemt ongeveer 1,7 keer toe en patronen met een pitch van het begin van de twintigtallen nm kunnen in één belichting worden belicht.
Welke eigenschap van „High-NA EUV”, ontwikkeld als volgende…Bij High-NA EUV wordt afhankelijk van de richting een verkleining van 1/4 en 1/8 gecombineerd.
Welke verkleiningsfactor wordt bij het projecteren van het …Bij High-NA EUV is dit de helft.
Wat is de gebruikelijke maximale grootte van het gebied dat…Numerieke apertuur (NA) Scherptediepte (DOF) Scanner Fotomasker (reticle) GPU Antireflectiecoating (BARC) ArF-excimeerlaser Chemisch versterkte resist (CAR) EUV-belichting Fasenverschuivingsmasker (phase-shift mask)