Belichtingsapparaat waarbij masker en wafer synchroon bewegen onder een spleetvormige lichtbundel. Het huidige standaardtype voor massaproductie, dat het maskerpatroon doorgaans met een factor 1/4 verkleind projecteert.
Japanse benaming: スキャナー
“Scanner” komt voor in 2 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Lithografie.
Vakgebied: Lithografie
Antwoord: C. Belichting terwijl masker en wafer synchroon bewegen ten opzichte van een spleetvormige lichtbundel
Een scanner belicht één shot (26 × 33 mm) door alleen een spleetvormig gebied van enkele mm breed met licht te bestralen en masker en wafer synchroon in tegengestelde richting te scannen met een snelheidsverhouding van 4:1. Alleen het midden van de lens met weinig aberraties kan worden gebruikt, een gebied dat lang is in de scanrichting kan worden belicht, en ook de variatie binnen een shot wordt uitgemiddeld. Het stage houdt een nauwkeurigheid in nm terwijl het met een versnelling van enkele m/s² beweegt. Een apparaat dat stilstaand in één keer belicht, is een stepper.
Antwoord: C. Ongeveer 26 mm × 33 mm
Een gangbare scanner belicht in één shot een gebied van ongeveer 26 mm × 33 mm (ongeveer 858 mm²) op de wafer en belicht door herhaling het hele oppervlak terwijl de wafer wordt verplaatst. Deze grootte is een maat voor de maximale chipgrootte (reticle limit), en grote GPU's en dergelijke benutten vrijwel deze bovengrens. Als een grotere afmeting nodig is, worden chiplets die meerdere chips verbinden of verbindingen op de package gebruikt. Bij High-NA EUV is dit de helft.
Een scanner belicht één shot (26 × 33 mm) door alleen een spleetvormig gebied van enkele mm breed met licht te bestralen en masker en wafer synchroon in tegengestelde richting te scannen met een snelheidsverhouding van 4:1.
Welke eigenschap van een scanner-belichtingsapparaat is jui…Een gangbare scanner belicht in één shot een gebied van ongeveer 26 mm × 33 mm (ongeveer 858 mm²) op de wafer en belicht door herhaling het hele oppervlak terwijl de wafer wordt verplaatst.
Wat is de gebruikelijke maximale grootte van het gebied dat…Fotomasker (reticle) GPU High-NA EUV Antireflectiecoating (BARC) ArF-excimeerlaser Chemisch versterkte resist (CAR) EUV-belichting Fasenverschuivingsmasker (phase-shift mask) Fotoresist Immersielithografie