Was ist Gate-last (Replacement-Metal-Gate)?

Der Transistor wird zunächst mit einem Dummy-Gate gebaut; nach Hochtemperaturschritten wie der Source/Drain-Aktivierung wird dieses entfernt und durch ein High-k-Dielektrikum und ein Metallgate ersetzt.

Japanische Bezeichnung: ゲートラスト(リプレースメントメタルゲート)

Fachgebiet: Fortschrittliche Transistoren (FinFET und GAA)

Verwandte Begriffe

CFET (komplementärer FET) DTCO (Entwurf-Technologie-Co-Optimierung) EOT (äquivalente Oxiddicke) FD-SOI (vollständig verarmtes SOI) FinFET GAA (Gate-all-around) High-k/Metall-Gate Nanosheet-Transistor SADP (selbstjustierte Doppelstrukturierung) Zufällige Dotierstoffschwankung (RDF)

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