Stap aan het begin van het trekken bij de CZ-methode waarbij direct na het entkristal een dunne hals wordt gegroeid. Dislocaties door de thermische schok bij het in de smelt dopen van het entkristal worden naar buiten afgevoerd, zodat een dislocatievrij kristal ontstaat.
Japanse benaming: ネッキング
“Necking” komt voor in 1 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Siliciumwafers.
Vakgebied: Siliciumwafers
Antwoord: C. De dislocaties die bij onderdompeling van het zaadkristal in de smelt door thermische schok zijn ontstaan naar buiten het kristal laten verdwijnen, zodat een dislocatievrij kristal ontstaat
Wanneer het zaadkristal in de hete smelt wordt gedompeld, ontstaan door thermische schok dislocaties. Als het kristal met een diameter van circa 3 tot 5 mm dun wordt gegroeid, lopen de dislocaties doordat ze schuin ten opzichte van de groeirichting verlopen naar het kristaloppervlak uit, en daarna kan een dislocatievrij monokristal dik worden gegroeid (Dash-methode, 1958). Ook ingots van enkele honderden kg bij 300 mm worden aan deze dunne hals omhooggetrokken.
Numerieke apertuur (NA) Czochralski-methode (CZ-methode) DZ (denuded zone) Floating-zonemethode (FZ-methode) Gettering Ingot Kristaloriëntatie MCZ-methode (magnetic Czochralski) Monitorwafer Segregatiecoëfficiënt