Oxidation und Diffusion
Welche Aussage zu Merkmalen der Radikaloxidation mit Sauerstoffradikalen ist richtig?
- AAuch bei vergleichsweise niedrigen Temperaturen entstehen hochwertige Oxidfilme, und der Unterschied der Oxidationsgeschwindigkeit zwischen Orientierungen ist gering
- BEs sind stets hohe Temperaturen von 1200 °C oder mehr erforderlich
- CDie Dicke des Oxidfilms unterscheidet sich je nach Orientierung stark
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Antwort: A. Auch bei vergleichsweise niedrigen Temperaturen entstehen hochwertige Oxidfilme, und der Unterschied der Oxidationsgeschwindigkeit zwischen Orientierungen ist gering
Mit Plasma o. Ä. erzeugte Sauerstoffradikale sind reaktiv, sodass sich auch bei vergleichsweise niedrigen Temperaturen von etwa 400 bis 600 °C hochwertige Oxidfilme bilden lassen, die dem thermischen Oxid nahekommen. Gegenüber normaler thermischer Oxidation sind der Unterschied der Oxidationsgeschwindigkeit zwischen Orientierungen und die verzögerte Oxidation an Ecken gering, und auch Nitridfilme lassen sich oxidieren; das Verfahren wird daher für die Oxidation dreidimensionaler Strukturen wie FinFET-Finnen und 3D NAND sowie in Prozessen mit strengem thermischem Budget verwendet.