Métrologie et analyse
Quelle description de la SIMS (spectrométrie de masse des ions secondaires) est correcte ?
- AÉtudier les éléments à partir des rayons X caractéristiques émis sous un faisceau d’électrons
- BMesurer l’épaisseur d’un film à partir de la réflectance optique
- CPulvériser l’échantillon avec des ions primaires tout en analysant en masse les ions secondaires émis, afin d’étudier le profil en profondeur des impuretés
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Réponse : C. Pulvériser l’échantillon avec des ions primaires tout en analysant en masse les ions secondaires émis, afin d’étudier le profil en profondeur des impuretés
La SIMS irradie l’échantillon avec des ions primaires de césium ou d’oxygène qui pulvérisent progressivement la surface, et analyse en masse les ions secondaires émis. En poursuivant la mesure au fil de l’abrasion, on obtient le profil en profondeur de la concentration d’impuretés avec une sensibilité pouvant atteindre le ppb selon les éléments. Très utilisée pour évaluer l’implantation ionique et la diffusion, c’est une analyse destructive puisque l’échantillon est abrasé. L’étude des éléments par rayons X caractéristiques relève de l’EDX, et la mesure d’épaisseur par réflectance des méthodes optiques.