Was ist der Hauptzweck der Halo-(Pocket-)Implantation, bei der Dotierstoffe vom gleichen Leitungstyp wie der Kanal schräg an den Rändern von Source und Drain implantiert werden?

Antwort: B. Kurzkanaleffekte zu unterdrücken

Bei der Halo-Implantation wird der Wafer um etwa 20 bis 45° geneigt und Dotierstoff vom gleichen Leitungstyp wie der Kanal lokal nahe den Source- und Drainrändern eingebracht, sodass er unter das Gate greift. Da sich die vom Drain ausgehende Verarmungszone unterdrücken lässt, werden auch bei kürzerer Gatelänge Absinken der Schwellenspannung und Punch-through unterdrückt. Der Mobilitätsverlust ist kleiner, als wenn der gesamte Kanal höher dotiert würde, und sie war bei feinen planaren Transistoren Standard.