이온 주입
소스·드레인 끝에 채널과 같은 도전형의 불순물을 비스듬히 주입하는 할로(포켓) 주입의 주된 목적은 무엇인가?
- A게이트 전극의 저항을 낮춘다
- B단채널 효과를 억제한다
- C트랜지스터를 발광시킨다
정답과 해설 보기
정답: B. 단채널 효과를 억제한다
할로 주입에서는 웨이퍼를 20~45° 정도 기울여, 게이트 아래로 파고들도록 소스·드레인 끝 근처에 채널과 같은 도전형의 불순물을 국소적으로 넣습니다. 드레인에서 퍼지는 공핍층을 억제할 수 있어 게이트 길이가 짧아져도 문턱 전압의 저하나 펀치스루를 억제할 수 있습니다. 채널 전체를 진하게 하는 것보다 이동도 저하가 작아, 평면형 미세 트랜지스터에서 표준적으로 사용되었습니다.