離子佈植 在源極、汲極端斜向佈植與通道相同導電型雜質的暈環（halo，亦稱口袋）佈植，其主要目的為下列何者？ A降低閘極電極的電阻 B抑制短通道效應 C使電晶體發光 查看答案與解析 正確答案：B. 抑制短通道效應 暈環佈植是將晶圓傾斜約20～45°，使其潛入閘極下方，在源極、汲極端附近局部導入與通道相同導電型的雜質。由於可抑制從汲極延伸的空乏區，即使閘極長度縮短，也能抑制臨界電壓下降與貫穿。與將整個通道摻雜變濃相比，遷移率的降低較小，在平面型微細電晶體中曾是標準做法。