Was ist der Hauptvorteil der Ionenimplantation gegenüber der thermischen Diffusion?

Antwort: A. Sie kann bei niedriger Temperatur durchgeführt werden, und Dosis und Tiefe lassen sich genau steuern

Die Ionenimplantation lässt sich bei etwa Raumtemperatur durchführen, sodass Fotolack als Maske dienen kann, und die implantierte Menge wird durch Integration des Strahlstroms mit einer Genauigkeit von etwa ±1 % kontrolliert. Auch die Tiefe lässt sich über die Energie unabhängig steuern, und es sind Dosen in einem weiten Bereich von 10¹¹ bis 10¹⁶ cm⁻² möglich. Bei der thermischen Diffusion sind Oberflächenkonzentration und Tiefe gekoppelt, und wegen der hohen Temperatur war eine Oxidmaske nötig. Dagegen schädigt die Ionenimplantation den Kristall und erfordert daher nachträgliches Ausheilen.