Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

Welke uitspraak over het belangrijkste doel van het verkleinen van transistoren is juist?

  1. AOm het vermogensverbruik van de chip altijd te verhogen
  2. BOm één transistor groter en zwaarder te maken
  3. COm in dezelfde oppervlakte meer transistoren te integreren en prestaties, vermogen en kosten te verbeteren
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Om in dezelfde oppervlakte meer transistoren te integreren en prestaties, vermogen en kosten te verbeteren

Als transistoren kleiner worden, kunnen in dezelfde oppervlakte meer schakelingen worden geïntegreerd en dalen de kosten per transistor. Door de kleinere capaciteit worden ook hogere snelheid en lager vermogen verwacht, en gelijktijdige verbetering van deze drie (PPA: prestaties, vermogen en oppervlakte) is het doel van verkleining. Volgens de wet van Moore is de integratiedichtheid ongeveer elke twee jaar verdubbeld, maar de laatste jaren vlakt de daling van de kosten per transistor af door stijgende productiekosten.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

  1. Welke uitspraak over wat met 'nanosheet' in een nanosheet-GAA-transistor wordt bedoeld, is juist?
  2. Waar staat de k in 'high-k-gate-isolator' voor?
  3. Welke waarde komt het dichtst bij de effectieve kanaalbreedte (de lengte van de door de gate omsloten omtrek) per vin van een FinFET met een vinhoogte van 50 nm en een breedte van 6 nm?
  4. Welke eis wordt over het algemeen gesteld aan de breedte van de vin om korte-kanaaleffecten bij een FinFET voldoende te onderdrukken?
  5. Waarom wordt bij high-k/metal-gate-transistoren vaak een zeer dunne laag zoals SiO2 tussen het silicium en de high-k-film (zoals een oxidefilm op hafniumbasis) geplaatst?

Vergelijkingen bij dit onderwerp