Nederlands
Menu

Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

Waar staat de k in 'high-k-gate-isolator' voor?

  1. AHardheid van het kristal
  2. BWarmtegeleidbaarheid
  3. CRelatieve diëlektrische constante (grootte van de diëlektrische constante)
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Relatieve diëlektrische constante (grootte van de diëlektrische constante)

De k in high-k is de relatieve diëlektrische constante, en isolatiematerialen met een grotere waarde dan SiO2 (circa 3,9) heten high-k-materialen. Bekende voorbeelden zijn HfO2 (circa 20 tot 25) en HfSiON, waarmee ook met een fysiek dikke film een grote gatecapaciteit wordt verkregen. Materialen met een hogere diëlektrische constante hebben echter de neiging een kleinere bandkloof te hebben en worden gekozen in afweging tegen lekstroom. Tussen bedrading worden daarentegen low-k-materialen met een lage relatieve diëlektrische constante gebruikt om de capaciteit te verkleinen.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Geavanceerde transistoren (FinFET, GAA)

  1. Welke waarde komt het dichtst bij de effectieve kanaalbreedte (de lengte van de door de gate omsloten omtrek) per vin van een FinFET met een vinhoogte van 50 nm en een breedte van 6 nm?
  2. Welke eis wordt over het algemeen gesteld aan de breedte van de vin om korte-kanaaleffecten bij een FinFET voldoende te onderdrukken?
  3. Waarom wordt bij high-k/metal-gate-transistoren vaak een zeer dunne laag zoals SiO2 tussen het silicium en de high-k-film (zoals een oxidefilm op hafniumbasis) geplaatst?
  4. Wat is de belangrijkste reden waarom III-V-samengestelde halfgeleiders zoals InGaAs zijn onderzocht als kanaalmateriaal voor toekomstige nMOS?
  5. Welke uitspraak over de transistorprestatie-indicator 'Ion/Ioff-verhouding' is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp