Methode om kristal alleen te laten groeien op de plekken waar het silicium bloot ligt en niet door een isolatiefilm is bedekt. Wordt gebruikt voor onder meer SiGe in de source en drain van transistors.
Japanse benaming: 選択エピタキシャル成長
“Selectieve epitaxiale groei” komt voor in 1 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Epitaxiale groei.
Vakgebied: Epitaxiale groei
Antwoord: C. Het kristal groeit alleen op de plaatsen waar silicium bloot ligt en niet op isolatiefilms
Bij selectieve epitaxiale groei groeit het kristal, bijvoorbeeld met toevoeging van zoutzuur (HCl), alleen op blootliggend silicium, en kiemen die zich op oxide- of nitridefilms proberen te vormen worden weggeëtst. Dit wordt gebruikt in geavanceerde CMOS voor het inbedden van SiGe of SiP in source en drain, waarmee spanning in het kanaal wordt aangebracht en de weerstand wordt verlaagd, voor de verhoogde source en drain van FinFET's en voor het stapelen van nanosheets in GAA.
Bij selectieve epitaxiale groei groeit het kristal, bijvoorbeeld met toevoeging van zoutzuur (HCl), alleen op blootliggend silicium, en kiemen die zich op oxide- of nitridefilms proberen te vormen worden weggeëtst.
Welke uitspraak over selectieve epitaxiale groei is juist?CMOS SiGe (silicium-germanium) FinFET GAA (gate-all-around) 4H-SiC Autodoping Epitaxiale groei Gespannen silicium (strained silicon) Heteroepitaxie HVPE (hydride-dampfase-epitaxie)