산화와 확산

램프 등으로 웨이퍼를 한 장씩, 수 초 정도의 짧은 시간에 고온으로 가열하는 열처리를 무엇이라고 합니까?

  1. A배치로 어닐링
  2. BRTP(급속 열처리)
  3. CCMP
정답과 해설 보기

정답: B. RTP(급속 열처리)

RTP는 할로겐 램프 등으로 웨이퍼를 초당 수십~수백 ℃의 속도로 가열·냉각하는 열처리로, 1000 ℃ 이상의 온도에 수 초만 노출시킬 수 있습니다. 고온에서의 시간이 짧기 때문에 불순물의 확산을 억제하면서 주입 후의 활성화 어닐링이나 얇은 산화막 형성을 할 수 있습니다. 가열 시간을 밀리초 이하로 더 줄인 플래시 램프 어닐링이나 레이저 어닐링도 선단의 얕은 접합 형성에 사용되고 있습니다.

이 분야 연습하기 분야로 돌아가기

산화와 확산의 다른 문제

  1. 열산화로 형성한 SiO2 막의 비유전율에 가장 가까운 값은?
  2. 실리콘이 MOS 소자의 재료로 널리 사용되어 온 큰 이유 중 하나로 올바른 것은?
  3. 게이트 산화막 중에 나트륨 이온 등의 가동 이온이 포함되면 발생하는 문제로 올바른 것은?
  4. 실리콘의 열처리에서 확산이 비교적 느려 얕은 접합을 만들기 쉬운 n형 불순물은?
  5. 파이로제닉 산화(수소 연소 산화)에 대한 설명으로 올바른 것은?