박막 증착(CVD와 PVD)

스퍼터링에서 성막 속도를 높이기 위해 일반적으로 하는 것은?

  1. A타깃에 투입하는 전력을 크게 한다
  2. B가스 압력을 극단적으로 높인다
  3. C타깃에 대한 전력을 0으로 한다
정답과 해설 보기

정답: A. 타깃에 투입하는 전력을 크게 한다

타깃에 투입하는 전력을 크게 하면 타깃에 충돌하는 이온의 수와 에너지가 늘어 튀어나오는 원자가 증가하므로, 성막 속도는 거의 전력에 비례하여 올라갑니다. 300 mm용 타깃에서는 수십 kW의 전력을 인가하기도 합니다. 다만 투입한 전력의 대부분은 열이 되므로 타깃을 수냉하여 온도 상승, 균열, 본딩층 용융을 방지하고 막질에 미치는 영향에도 주의합니다.

이 분야 연습하기 분야로 돌아가기

박막 증착(CVD와 PVD)의 다른 문제

  1. 동일한 재료의 막으로 비교했을 때, 고온 열 CVD막이 플라즈마 CVD막보다 일반적으로 우수한 점은?
  2. ALD 1사이클에서 성막되는 막 두께의 기준으로 올바른 것은?
  3. 전자빔으로 재료를 가열하는 진공 증착의 장점으로 올바른 것은?
  4. 표면 재료의 차이를 이용해 특정 위치에만 막을 성장시키는 기술은?
  5. 반도체 제조에서 다루는 박막 두께의 기준으로 가장 적절한 것은?

이 분야의 비교