화합물 반도체
GaAs로 실리콘과 같은 CMOS 회로를 만들기 어려운 이유 중 하나로 올바른 것은?
- AGaAs의 정공 이동도가 전자에 비해 매우 작아 고성능 p채널 트랜지스터를 만들기 어렵기 때문
- BGaAs는 전자 이동도가 너무 작기 때문
- CGaAs는 빛을 흡수하지 않기 때문
정답과 해설 보기
정답: A. GaAs의 정공 이동도가 전자에 비해 매우 작아 고성능 p채널 트랜지스터를 만들기 어렵기 때문
GaAs의 전자 이동도는 약 8500 cm²/V·s로 실리콘보다 크지만, 정공 이동도는 약 400 cm²/V·s로 작아 20배 가까이 차이가 납니다. CMOS에서는 성능이 비슷한 n채널과 p채널이 필요하므로 GaAs에서는 고성능 CMOS를 만들기 어렵습니다. 양질의 게이트 절연막을 만들기 어려운 것도 이유입니다. 그래서 첨단 로직에서는 nMOS에 InGaAs, pMOS에 Ge를 사용하는 조합도 연구되었습니다.
- A. 맞습니다. 정공 이동도가 작아 p채널이 약해집니다.
- B. GaAs의 전자 이동도는 실리콘보다 크다는 것이 특징입니다.
- C. GaAs는 직접 천이형이며 빛을 잘 흡수합니다.