화합물 반도체

GaAs 고주파 트랜지스터로 사용되어 온 MESFET의 게이트 구조로 올바른 것은?

  1. A두꺼운 산화막 위에 게이트를 두는 MOS 구조
  2. BPN 접합을 게이트로 하는 구조
  3. C금속을 반도체에 직접 접촉시킨 쇼트키 접합을 게이트로 하는 구조
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정답: C. 금속을 반도체에 직접 접촉시킨 쇼트키 접합을 게이트로 하는 구조

MESFET(Metal-Semiconductor FET)은 게이트 금속을 반도체에 직접 접촉시킨 쇼트키 접합을 게이트로 하며, 그 공핍층의 폭으로 채널의 두께를 바꾸어 전류를 제어합니다. GaAs에는 양질의 절연막을 만들기 어려워 MOS 구조 대신 이 구조가 사용되었고, 1970~90년대 위성방송 수신기와 휴대전화의 고주파 회로에 널리 쓰였습니다. 현재는 더 고성능인 HEMT나 HBT로 대체되었습니다.

  • A. MOS 구조가 아니라 금속을 직접 접촉시킨 구조입니다.
  • B. PN 접합을 게이트로 하는 것은 접합형 FET(JFET)입니다.
  • C. 맞습니다. 쇼트키 접합을 게이트에 사용합니다.
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