화합물 반도체
GaAs에 강한 전계를 가하면 전자가 이동도가 낮은 다른 밸리(골짜기)로 옮겨 가, 전계를 높여도 전류가 줄어드는 부성 미분 저항이 나타난다. 이를 이용한 발진 소자는?
- A건 다이오드
- B제너 다이오드
- C포토다이오드
정답과 해설 보기
정답: A. 건 다이오드
GaAs에서는 강한 전계(약 3 kV/cm 이상)로 가속된 전자가 에너지가 약 0.3 eV 높고 유효 질량이 큰 L 밸리로 옮겨 가므로 드리프트 속도가 떨어집니다(전자 천이 효과). 이 부성 미분 저항으로 내부에서 전하 덩어리(도메인)가 생겼다 이동하기를 반복하여, 건 다이오드는 직류를 가하기만 해도 마이크로파를 발진합니다. 1963년 J. B. Gunn이 발견했으며, 자동차 레이더와 속도계 등에 사용되어 왔습니다.
- A. 맞습니다. 전자 천이 효과를 이용한 마이크로파 발진 소자입니다.
- B. 제너 다이오드는 역방향 항복을 이용한 정전압 소자입니다.
- C. 포토다이오드는 빛을 검출하는 소자입니다.