화합물 반도체
실리콘과 비교했을 때 GaAs의 열전도율로 올바른 것은?
- A낮다(실리콘의 3분의 1 정도)
- B실리콘보다 훨씬 높다
- C실리콘과 같다
정답과 해설 보기
정답: A. 낮다(실리콘의 3분의 1 정도)
GaAs의 열전도율은 약 46 W/(m·K)로 실리콘(약 150)의 3분의 1 정도입니다. 그래서 고출력 디바이스에서는 기판을 50~100 µm 정도까지 얇게 연삭하고, 뒷면 금속과 관통 구멍(비아)을 통해 열을 방출하는 등의 방열 설계가 중요해집니다. SiC(약 400)는 열전도율이 높아 GaN 고출력 디바이스의 기판으로 쓰이는 이유 중 하나입니다. InP도 약 68로 낮은 편입니다.