화합물 반도체
노멀리 온형 GaN HEMT를 노멀리 오프 동작으로 안전하게 사용하기 위해 저내압 실리콘 MOSFET와 직렬로 조합하는 구성은?
- A브리지 정류
- B달링턴 접속
- C캐스코드 구성
정답과 해설 보기
정답: C. 캐스코드 구성
캐스코드 구성에서는 저내압(약 30 V) 실리콘 MOSFET를 GaN HEMT의 소스 쪽에 직렬로 넣고, HEMT의 게이트를 MOSFET의 소스에 연결합니다. MOSFET를 끄면 HEMT의 게이트가 음으로 바이어스되어 자동으로 꺼지므로, 전체적으로 노멀리 오프 소자로 다룰 수 있고 실리콘 MOSFET용 게이트 구동 회로를 그대로 사용할 수 있습니다. 부품이 늘고, 고속 동작 시 MOSFET 쪽 기생 성분이 영향을 주는 것이 단점입니다.
- A. 브리지 정류는 교류를 직류로 바꾸는 회로입니다.
- B. 달링턴 접속은 2개의 바이폴라 트랜지스터로 전류 증폭률을 높이는 접속입니다.
- C. 맞습니다. Si MOSFET와 직렬로 하여 노멀리 오프로 사용합니다.