화합물 반도체
이종 접합의 밴드 배열에서 "타입 I"에 대한 설명으로 올바른 것은?
- A밴드갭이 작은 재료의 전도대 하단과 가전자대 상단이 모두 큰 재료의 밴드갭 안쪽에 들어간다
- B두 재료의 밴드갭이 겹치지 않는다
- C두 재료의 전도대와 가전자대가 어긋나 엇갈린다
정답과 해설 보기
정답: A. 밴드갭이 작은 재료의 전도대 하단과 가전자대 상단이 모두 큰 재료의 밴드갭 안쪽에 들어간다
타입 I에서는 작은 밴드갭 재료의 밴드가 큰 밴드갭 재료의 밴드 안쪽에 들어가므로, 전자와 정공이 모두 작은 밴드갭의 층에 갇힙니다(GaAs/AlGaAs 등). LED와 레이저의 양자 우물에서 효율적으로 재결합시키는 데 사용됩니다. 엇갈린 타입 II에서는 전자와 정공이 서로 다른 층으로 나뉘며, 장파장 적외선 검출기(InAs/GaSb 초격자) 등에 이용됩니다.
- A. 맞습니다. 전자와 정공이 모두 같은 층에 갇힙니다.
- B. 완전히 겹치지 않는 배열은 타입 III라고 합니다.
- C. 엇갈리는 것은 타입 II입니다.