GaN HEMT의 기판으로 SiC가 사용되는 주된 이유 중 하나는?

정답: C. 열전도율이 높아 디바이스의 열을 방출하기 쉽기 때문

고출력 GaN HEMT는 게이트 부근에 열이 집중되며, 온도가 오르면 성능과 수명이 저하됩니다. SiC는 열전도율이 약 400 W/(m·K)로 Si(약 150)나 사파이어(약 35)보다 높고, GaN과의 격자 부정합도 약 3.5%로 비교적 작아 기지국이나 레이더용 고주파·고출력 GaN HEMT의 기판으로 사용됩니다(GaN-on-SiC). 비용을 중시하는 파워 용도에서는 Si 기판이 사용됩니다.