화합물 반도체

GaN 디바이스에서 GaN층을 성장시키는 기판으로 일반적으로 사용되는 것은?

  1. A석영 유리뿐이다
  2. B사파이어, SiC, Si 등의 이종 기판
  3. C구리판
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정답: B. 사파이어, SiC, Si 등의 이종 기판

GaN은 고온·고압에서도 분해되기 쉬워 융액에서 결정을 끌어올릴 수 없으므로, 대구경의 저렴한 GaN 기판을 만들기 어려워 다른 재료의 기판 위에 에피택셜 성장시킵니다. LED에서는 저렴하고 투명한 사파이어, 고주파 디바이스에서는 열전도가 좋은 SiC, 파워 디바이스에서는 대구경이면서 저렴한 Si가 자주 사용됩니다. 격자 상수와 열팽창 차이로 인한 결함과 휨을 억제하는 버퍼층 기술이 핵심입니다.

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