화합물 반도체
GaN이 고주파·고출력 트랜지스터에 적합한 이유로 올바른 것은?
- A밴드갭이 크고 절연 파괴 전계가 높으며 전자의 포화 속도도 높기 때문
- B열을 전혀 발생시키지 않기 때문
- C실리콘보다 저렴하기 때문
정답과 해설 보기
정답: A. 밴드갭이 크고 절연 파괴 전계가 높으며 전자의 포화 속도도 높기 때문
GaN은 절연 파괴 전계가 Si의 약 10배로 높아 높은 전압에서 동작할 수 있고, 전자의 포화 속도도 약 2.5×10⁷ cm/s로 높아 고주파에서 큰 전력을 다룰 수 있습니다. 또한 HEMT 구조에서 약 10¹³ cm⁻²의 고밀도 2차원 전자 가스를 얻을 수 있어 전류 밀도도 크고, GaAs보다 몇 배의 전력 밀도를 얻을 수 있습니다. 휴대전화 기지국, 레이더, 위성통신의 전력 증폭기 등에 사용됩니다.