화합물 반도체

InP 기판 위에 조성을 조정한 InGaAs를 격자 정합시켜 성장시킬 때의 이점으로 올바른 것은?

  1. A기판이 반드시 저렴해진다
  2. B격자 상수를 맞춤으로써 전위가 적은 고품질 결정을 얻을 수 있다
  3. C반드시 간접 천이형이 된다
정답과 해설 보기

정답: B. 격자 상수를 맞춤으로써 전위가 적은 고품질 결정을 얻을 수 있다

In0.53Ga0.47As처럼 조성을 조정하면 InGaAs의 격자 상수를 InP(약 0.587 nm)와 거의 일치시킬 수 있습니다(격자 정합). 격자 상수가 맞으면 변형과 전위가 생기기 어려워 두꺼운 층에서도 고품질 결정을 얻을 수 있습니다. 이 조성의 InGaAs는 밴드갭이 약 0.75 eV로 1.7 µm까지 흡수할 수 있어 광통신의 수광 소자에 최적이며, 전자 이동도도 약 10000 cm²/V·s로 높아 HEMT에도 사용됩니다.

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