Épaisseur maximale qu'une couche à paramètre de maille différent peut atteindre en hétéroépitaxie en restant contrainte sans générer de dislocations. Au-delà apparaissent des dislocations de désaccord (misfit).
Nom japonais: 臨界膜厚
« Épaisseur critique » apparaît dans 2 questions d'entraînement réparties sur 1 thèmes, dont Croissance épitaxiale.
Domaine: Croissance épitaxiale
Réponse : C. L'épaisseur maximale pouvant croître en conservant la contrainte sans générer de dislocations
Une couche de paramètre de maille différent croît tant qu'elle est mince en restant contrainte pour s'adapter au substrat (croissance cohérente). Lorsque l'épaisseur augmente, l'énergie de contrainte croît, et au-delà de l'épaisseur critique, des dislocations de désaccord apparaissent et relaxent la contrainte. Plus le désaccord est grand, plus l'épaisseur critique est faible : par exemple quelques dizaines de nm environ pour du SiGe à 20 % de Ge. C'est une valeur clé pour concevoir sans dislocations des couches de SiGe contraint ou des puits quantiques.
Lorsque l'épaisseur augmente, l'énergie de contrainte croît, et au-delà de l'épaisseur critique, des dislocations de désaccord apparaissent et relaxent la contrainte.
Quelle est la définition de l'épaisseur critique en croissa…Lors de la croissance d'un matériau de paramètre de maille différent, la couche se comprime ou s'étire pour s'adapter au substrat et accumule des contraintes ; au-delà de l'épaisseur critique, des dislocations de désaccord apparaissent à l'interface pour relaxer ces contraintes.
Quel problème survient facilement lorsque la différence de …SiGe (silicium-germanium) Désaccord de maille Rendement (yield) 4H-SiC Autodopage Croissance épitaxiale Croissance épitaxiale latérale (ELO) Croissance par avancée de marches (step-flow) Dislocation de désaccord (misfit dislocation) Dislocation traversante