Groeimodus waarbij het kristal zijwaarts uitbreidt vanaf atoomtreden op het oppervlak van een licht van de kristalas gekanteld substraat. Bij SiC gebruikt om dezelfde kristalpolytype als het substraat over te nemen.
Japanse benaming: ステップフロー成長
“Step-flow-groei” komt voor in 1 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Epitaxiale groei.
Vakgebied: Epitaxiale groei
Antwoord: A. Zodat de groei vanaf atoomstappen op het oppervlak zijwaarts verloopt (step-flow-groei) en dezelfde kristalpolytype als het substraat wordt overgenomen
SiC kent veel kristalpolytypen met verschillende stapelvolgordes van atomen, en bij groei op een vlak oppervlak treedt gemakkelijk menging met een ander polytype (zoals 3C-SiC) op. Bij een substraat met een off-angle van circa 4° bevat het oppervlak veel atoomstappen, waarin de grondstof wordt ingebouwd en de groei zijwaarts voortschrijdt (step-flow-groei), zodat een kristal wordt verkregen dat de stapelvolgorde van 4H-SiC van het substraat overneemt.
Bij een substraat met een off-angle van circa 4° bevat het oppervlak veel atoomstappen, waarin de grondstof wordt ingebouwd en de groei zijwaarts voortschrijdt (step-flow-groei), zodat een kristal wordt verkregen dat de stapelvolgorde van 4H-SiC van het substraat overneemt.
Wat is het belangrijkste doel van het gebruik van een subst…Epitaxiale groei SiC (siliciumcarbide) 4H-SiC Autodoping Gespannen silicium (strained silicon) Heteroepitaxie HVPE (hydride-dampfase-epitaxie) Kritische laagdikte Laterale epitaxiale overgroei (ELO) MBE (molecular beam epitaxy)