Étape au début du tirage CZ où l'on fait croître une partie étroite juste après le germe. Les dislocations introduites par le choc thermique lors du contact du germe avec le bain sont évacuées hors du cristal, ce qui donne un cristal sans dislocations.
Nom japonais: ネッキング
« Necking (affinement du col) » apparaît dans 1 questions d'entraînement réparties sur 1 thèmes, dont Plaquettes de silicium.
Domaine: Plaquettes de silicium
Réponse : C. Évacuer hors du cristal les dislocations introduites par le choc thermique lors de l'immersion du germe dans le bain, afin d'obtenir un cristal sans dislocations
L'immersion du germe dans le bain à haute température introduit des dislocations par choc thermique. En réduisant le diamètre à environ 3 à 5 mm pendant la croissance, les dislocations, qui se propagent en oblique par rapport à la direction de croissance, s'échappent par la surface du cristal, après quoi un monocristal sans dislocations peut croître en grand diamètre (méthode de Dash, 1958). Même les lingots de 300 mm pesant plusieurs centaines de kg sont soutenus par ce col étroit pendant le tirage.
Coefficient de ségrégation Donneurs thermiques DZ (zone dénudée) Encoche de plaquette (notch) Getter (gettering) Glissement (slip) Lingot Méthode CZ (Czochralski) Méthode FZ (zone flottante) Méthode MCZ (Czochralski sous champ magnétique)