Plaquettes de silicium
Quel est l'objectif de la croissance d'un col étroit juste après le germe au début du tirage CZ (necking) ?
- AÉconomiser le germe
- BAugmenter la concentration d'oxygène
- CÉvacuer hors du cristal les dislocations introduites par le choc thermique lors de l'immersion du germe dans le bain, afin d'obtenir un cristal sans dislocations
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Réponse : C. Évacuer hors du cristal les dislocations introduites par le choc thermique lors de l'immersion du germe dans le bain, afin d'obtenir un cristal sans dislocations
L'immersion du germe dans le bain à haute température introduit des dislocations par choc thermique. En réduisant le diamètre à environ 3 à 5 mm pendant la croissance, les dislocations, qui se propagent en oblique par rapport à la direction de croissance, s'échappent par la surface du cristal, après quoi un monocristal sans dislocations peut croître en grand diamètre (méthode de Dash, 1958). Même les lingots de 300 mm pesant plusieurs centaines de kg sont soutenus par ce col étroit pendant le tirage.