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Qu'est-ce que HVPE (épitaxie en phase vapeur aux hydrures) ?

Méthode de croissance en phase vapeur utilisant le chlorure de gallium, produit par réaction du chlorure d'hydrogène avec le gallium, et l'ammoniac. Très rapide, elle sert à faire croître les cristaux épais des substrats autoportants de GaN.

Nom japonais: HVPE(ハイドライド気相成長)

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Domaine: Croissance épitaxiale

S'entraîner : questions sur HVPE (épitaxie en phase vapeur aux hydrures)

Quelle méthode est utilisée pour faire croître rapidement des couches épaisses de GaN afin de fabriquer des substrats GaN autoportants ?

  1. AALD (dépôt de couches atomiques)
  2. BHVPE (épitaxie en phase vapeur aux hydrures)
  3. COxydation thermique
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Réponse : B. HVPE (épitaxie en phase vapeur aux hydrures)

La HVPE fait passer du chlorure d'hydrogène sur du gallium chaud pour former du chlorure de gallium (GaCl), qu'elle fait réagir avec l'ammoniac pour faire croître le GaN, à une vitesse de quelques dizaines à quelques centaines de µm par heure, plusieurs dizaines de fois celle de la MOCVD. On fait croître sur saphir ou analogue une couche de GaN épaisse de plusieurs centaines de µm à quelques mm, puis le retrait du substrat donne un substrat autoportant ; plus la croissance est épaisse, plus les dislocations diminuent. Les substrats GaN servent aux lasers et aux composants de puissance verticaux.

« HVPE (épitaxie en phase vapeur aux hydrures) » dans les explications

Questions mentionnant « HVPE (épitaxie en phase vapeur aux hydrures) » (1)

  1. Quelle méthode est utilisée pour faire croître rapidement des couches épaisses de GaN afin de fabriquer des substrats GaN autoportants ?

Termes associés

GaN (nitrure de gallium) MOCVD (épitaxie en phase vapeur aux organométalliques) 4H-SiC Autodopage Croissance épitaxiale Croissance épitaxiale latérale (ELO) Croissance par avancée de marches (step-flow) Désaccord de maille Dislocation de désaccord (misfit dislocation) Dislocation traversante

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