Quelle méthode est utilisée pour faire croître rapidement des couches épaisses de GaN afin de fabriquer des substrats GaN autoportants ?

Réponse : B. HVPE (épitaxie en phase vapeur aux hydrures)

La HVPE fait passer du chlorure d'hydrogène sur du gallium chaud pour former du chlorure de gallium (GaCl), qu'elle fait réagir avec l'ammoniac pour faire croître le GaN, à une vitesse de quelques dizaines à quelques centaines de µm par heure, plusieurs dizaines de fois celle de la MOCVD. On fait croître sur saphir ou analogue une couche de GaN épaisse de plusieurs centaines de µm à quelques mm, puis le retrait du substrat donne un substrat autoportant ; plus la croissance est épaisse, plus les dislocations diminuent. Les substrats GaN servent aux lasers et aux composants de puissance verticaux.