SRAM et mémoire flash
Quel principe d'écriture et d'effacement des données de la mémoire flash est correct ?
- AStocker des charges dans un condensateur
- BChanger le sens d'aimantation d'une couche magnétique
- CInjecter et extraire des électrons d'une grille flottante ou d'une couche de piégeage de charges pour modifier la tension de seuil du transistor
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Réponse : C. Injecter et extraire des électrons d'une grille flottante ou d'une couche de piégeage de charges pour modifier la tension de seuil du transistor
Une cellule flash est un transistor doté, sous la grille, d'une grille flottante (ou d'une couche de piégeage de charges) qui stocke des électrons. Injecter ou extraire des électrons sous haute tension, par courant tunnel notamment, modifie la tension de seuil, et cette différence distingue 0 et 1. Les électrons étant entourés d'isolants de quelques nm d'épaisseur, ils sont conservés environ 10 ans même hors tension. En lecture, on applique une tension donnée sur la grille et l'on observe si un courant circule.