Qu'est-ce que Amplification d'écriture (write amplification) ?

Situation où la quantité de données réellement écrite dans la mémoire flash dépasse celle écrite par l'hôte, à cause du ramasse-miettes, etc. Plus elle est forte, plus la durée de vie du SSD diminue.

Nom japonais: 書き込み増幅(ライトアンプリフィケーション)

« Amplification d'écriture (write amplification) » apparaît dans 3 questions d'entraînement réparties sur 1 thèmes, dont SRAM et mémoire flash.

Domaine: SRAM et mémoire flash

S'entraîner : questions sur Amplification d'écriture (write amplification)

Quelle description de l'« amplification d'écriture » (write amplification) des SSD est correcte ?

  1. ALe doublement de la vitesse d'écriture
  2. BUne tension d'écriture plus élevée que la normale
  3. CLe fait que la quantité de données réellement écrite dans la mémoire flash dépasse la quantité écrite par l'hôte
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Réponse : C. Le fait que la quantité de données réellement écrite dans la mémoire flash dépasse la quantité écrite par l'hôte

La flash ne permettant pas l'écrasement et n'effaçant que par bloc, des écritures supplémentaires surviennent, comme la copie des données valides vers d'autres blocs lors du ramasse-miettes : le volume réellement écrit dépasse celui de l'hôte. Ce rapport est le facteur d'amplification d'écriture (WAF), qui peut atteindre plusieurs unités avec de nombreuses petites écritures aléatoires. On le réduit par TRIM, la zone de réserve, la compression des données, etc., afin de préserver durée de vie et performances.

« Amplification d'écriture (write amplification) » dans les explications

Questions mentionnant « Amplification d'écriture (write amplification) » (3)

  1. Quelle description de l'« amplification d'écriture » (write amplification) des SSD est correcte ?
  2. Quelle description du ramasse-miettes (garbage collection) des SSD est correcte ?
  3. Quelle commande permet à l'OS de signaler au SSD les zones des fichiers supprimés, afin de rendre le ramasse-miettes plus efficace ?

Termes associés

Ramasse-miettes (garbage collection) TRIM NVMe 3D NAND Cellule à piégeage de charge Cellule SRAM 6T Courant tunnel FN (Fowler-Nordheim) Grille flottante Mémoire flash NAND Mémoire flash NOR

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