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MOSFET

Quelle est la condition de mise en conduction d’un MOSFET à canal n à enrichissement ? (VGS : tension grille-source, Vth : tension de seuil)

  1. AVGS vaut 0 V
  2. BVGS est supérieure à Vth
  3. CVGS est une tension négative
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Réponse : B. VGS est supérieure à Vth

Dans un nMOSFET à enrichissement, une tension positive supérieure à Vth appliquée à la grille attire des électrons à la surface du substrat de type p et forme une couche d’inversion (canal), ce qui permet le passage du courant entre source et drain. À VGS = 0 V, il n’y a pas de canal et le transistor est bloqué ; même grille flottante, le courant passe difficilement (normalement bloqué), ce qui convient à la sûreté des circuits logiques et des applications de puissance. Vth vaut typiquement 0.2 à 0.4 V en logique avancée et 1 à 4 V environ en puissance.

Coupe d'un MOSFET à canal n (état passant) Substrat de type p Source n⁺ Drain n⁺ Grille VGS > Vth Couche d'inversion d'électrons (canal) Diélectrique de grille
Coupe d'un MOSFET à canal n (état passant) · Voir dans les schémas
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