Oxydation et diffusion
Quelle est la caractéristique de l’oxydation thermique d’un silicium polycristallin (polysilicium) fortement dopé ?
- AIl ne s’oxyde pas
- BEn raison des joints de grains et du fort dopage, il s’oxyde souvent plus vite que le monocristal, et la qualité de l’oxyde tend à être inférieure
- CIl s’oxyde toujours à la même vitesse que le silicium monocristallin
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Réponse : B. En raison des joints de grains et du fort dopage, il s’oxyde souvent plus vite que le monocristal, et la qualité de l’oxyde tend à être inférieure
Le polysilicium présente des grains d’orientations aléatoires et de nombreux joints de grains ; fortement dopé, par exemple au phosphore, il s’oxyde plus vite que le monocristal. L’oxydation progressant le long des joints de grains, l’interface tend à être rugueuse et le champ se concentre sur les reliefs ; l’oxyde qui le surmonte a donc tendance à être de moins bonne qualité, notamment en tenue en tension, que l’oxyde thermique sur monocristal. Pour l’isolant au-dessus de la grille flottante des mémoires flash, on a utilisé des films ONO pour éviter ce problème.