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DRAM

Quelle combinaison de structures tridimensionnelles a été utilisée pour assurer la capacité du condensateur des cellules DRAM ?

  1. AStructure à ailettes et structure planaire
  2. BStructure en tranchée et structure empilée
  3. CStructure à grille flottante et structure à piégeage de charge
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Réponse : B. Structure en tranchée et structure empilée

Pour conserver une capacité d'environ 10 fF malgré la réduction des cellules, la DRAM a rendu ses condensateurs tridimensionnels. On distingue la structure en tranchée, qui creuse une tranchée profonde dans le substrat, et la structure empilée, qui érige un haut cylindre au-dessus du transistor ; la structure empilée domine aujourd'hui. Dans les produits avancés, le condensateur mesure quelques dizaines de nm de diamètre pour plus de 1 µm de hauteur, avec un rapport d'aspect de plusieurs dizaines, et il est renforcé par un film de soutien pour ne pas s'effondrer. La grille flottante et le piégeage de charge sont des structures de mémoire flash.

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