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SRAM et mémoire flash

Dans les cellules à piégeage de charges largement utilisées en NAND 3D, quel est le matériau courant de la couche qui stocke les charges ?

  1. ALe cuivre
  2. BLe nitrure de silicium (SiN)
  3. CL'aluminium
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Réponse : B. Le nitrure de silicium (SiN)

Dans une cellule à piégeage de charges, les électrons sont stockés dans les niveaux de piégeage d'un film isolant de nitrure de silicium, à la place d'une grille flottante conductrice. Les charges étant localisées et immobiles dans le film, un défaut ponctuel de l'isolant ne fait pas fuir toute la charge, et les interférences avec les cellules voisines sont réduites. L'empilement SiO2/SiN/SiO2 (ONO) peut être déposé en continu sur les parois des trous, ce qui rend cette structure bien adaptée à la NAND 3D, empilée verticalement.

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