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Métrologie et analyse

Alors que la SIMS mesure la concentration d’atomes d’impuretés, quelle méthode mesure le profil en profondeur de la concentration de porteurs électriquement actifs ?

  1. AEDX
  2. BMicroscope à force atomique (AFM)
  3. CMesures électriques telles que la résistance d’étalement (SRP)
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Réponse : C. Mesures électriques telles que la résistance d’étalement (SRP)

La mesure de résistance d’étalement polit l’échantillon en biseau sous un angle faible pour étirer la dimension en profondeur, puis mesure la résistance en déplaçant pas à pas deux pointes, ce qui donne le profil en profondeur de la concentration de porteurs. La SIMS mesurant la concentration atomique, impuretés non activées comprises, la comparaison des deux donne le taux d’activation. L’EDX étudie les éléments, l’AFM la forme.

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