Métrologie et analyse
Que peut-on évaluer à partir de la mesure C-V (capacité-tension) d’une capacité MOS ?
- ALa largeur des motifs
- BL’épaisseur d’oxyde, les états d’interface, la concentration de dopants du substrat, etc.
- CLe nombre de particules à la surface de la plaquette
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Réponse : B. L’épaisseur d’oxyde, les états d’interface, la concentration de dopants du substrat, etc.
En mesurant la capacité d’une capacité MOS tout en faisant varier la tension, on observe des variations selon les régimes d’accumulation, de déplétion et d’inversion. La capacité maximale Cox côté accumulation donne l’épaisseur d’oxyde tox=εox·A/Cox ; la position de la courbe donne la tension de bandes plates et les charges dans le film ; l’étalement de la courbe donne la densité d’états d’interface ; la pente en déplétion donne la concentration de dopants du substrat. La largeur des motifs et le nombre de particules ne sont pas accessibles.