Qu'est-ce que Tension de bandes plates ?

Tension de grille pour laquelle les bandes à la surface du semi-conducteur d'une structure MOS ne sont pas courbées. Elle dépend de la différence de travail de sortie entre grille et substrat et des charges dans l'oxyde ; c'est une des composantes de la tension de seuil.

Nom japonais: フラットバンド電圧

« Tension de bandes plates » apparaît dans 5 questions d'entraînement réparties sur 5 thèmes, dont MOSFET, Physique des semi-conducteurs, Transistors avancés (FinFET et GAA).

Domaine: MOSFET

S'entraîner : questions sur Tension de bandes plates

Quelle description de la tension de bandes plates d’une structure MOS est correcte ?

  1. ALa tension de grille à laquelle le canal entre en forte inversion
  2. BLa tension de grille à laquelle l’isolant de grille claque
  3. CLa tension de grille à laquelle les bandes ne sont pas courbées (sont plates) à la surface du semi-conducteur
Afficher la réponse et l'explication

Réponse : C. La tension de grille à laquelle les bandes ne sont pas courbées (sont plates) à la surface du semi-conducteur

La tension de bandes plates VFB est la tension de grille à laquelle les bandes à la surface du semi-conducteur ne sont pas courbées ; elle vaut VFB = φms − Qox/Cox (différence de travaux de sortie et charges de l’isolant et de l’interface). La tension de seuil s’obtient en ajoutant à VFB le terme 2φF nécessaire à l’inversion et la tension due à la charge de déplétion. Le décalage de VFB mesuré par C-V permet d’évaluer les charges et contaminations de l’isolant (ions Na, etc.), ce qui en fait un indicateur important de maîtrise des procédés.

« Tension de bandes plates » dans les explications

Questions mentionnant « Tension de bandes plates » (5)

  1. Quelle description de la tension de bandes plates d’une structure MOS est correcte ?
  2. Quelle signification du niveau de Fermi est correcte ?
  3. Quel est l'un des principaux moyens d'ajuster la tension de seuil d'un transistor high-k/grille métallique ?
  4. Quelle combinaison correspond à la classification générale des types de charges présentes dans l’oxyde d’une structure MOS et à son interface ?
  5. Que peut-on évaluer à partir de la mesure C-V (capacité-tension) d’une capacité MOS ?

Termes associés

Tension de seuil Ouverture numérique (NA) Niveau de Fermi Bande interdite (bandgap) Contact High-k/grille métallique Travail de sortie Ions mobiles CMOS Couche d'inversion

Retour au glossaire