Messtechnik und Analytik

Was lässt sich aus C-V-Messungen (Kapazität-Spannung) an MOS-Kondensatoren bewerten?

  1. ADie Linienbreite der Struktur
  2. BOxiddicke, Grenzflächenzustände, Verunreinigungskonzentration des Substrats usw.
  3. CDie Zahl der Partikel auf der Waferoberfläche
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Antwort: B. Oxiddicke, Grenzflächenzustände, Verunreinigungskonzentration des Substrats usw.

Wird die Kapazität bei variierter Spannung am MOS-Kondensator gemessen, ändert sie sich je nach Zustand Akkumulation, Verarmung oder Inversion. Aus der maximalen Kapazität Cox in Akkumulation folgt die Oxiddicke nach tox = εox·A/Cox, aus der Lage der Kurve die Flachbandspannung und die Ladung im Film, aus der Verflachung der Kurve die Grenzflächenzustandsdichte und aus der Steigung im Verarmungsbereich die Verunreinigungskonzentration des Substrats. Linienbreite und Partikelzahl sind nicht ermittelbar.

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