계측과 분석
MOS 커패시터의 C-V(용량-전압) 측정으로 평가할 수 있는 것으로 올바른 것은?
- A패턴의 선폭
- B산화막 두께, 계면 준위, 기판의 불순물 농도 등
- C웨이퍼 표면의 이물 개수
정답과 해설 보기
정답: B. 산화막 두께, 계면 준위, 기판의 불순물 농도 등
MOS 커패시터에 가하는 전압을 바꾸면서 용량을 측정하면, 축적·공핍·반전 상태에 따라 용량이 변화합니다. 축적 쪽의 최대 용량 Cox로부터 산화막 두께를 tox=εox·A/Cox로 구할 수 있고, 곡선의 위치로부터 플랫밴드 전압과 막 속 전하를, 곡선의 무뎌짐(스트레치 아웃)으로부터 계면 준위 밀도를, 공핍 쪽의 기울기로부터 기판의 불순물 농도를 알 수 있습니다. 선폭이나 이물 개수는 알 수 없습니다.