Quel est l'objectif de la formation d'un siliciure tel que le NiSi à la surface de la source, du drain et de la grille d'un transistor ?

Réponse : C. Réduire la résistance et la résistance de contact des électrodes

Un siliciure est un composé de métal et de silicium dont la résistance carrée est inférieure d'un ordre de grandeur ou plus à celle des couches diffusées du silicium ; le NiSi, par exemple, a une résistivité d'environ 15 µΩ·cm. La siliciuration de la surface de la source, du drain et de la grille réduit la résistance carrée et la résistance de contact avec les interconnexions. On dépose le métal sur toute la surface puis on recuit, de sorte que seules les zones en contact avec le silicium réagissent, et on retire le métal non réagi ; la formation est donc auto-alignée sans masque, d'où le nom de salicide. Le matériau a évolué selon les générations : TiSi2, CoSi2, NiSi.