Wat is het doel van het vormen van silicide zoals NiSi op het oppervlak van source, drain en gate van een transistor?

Antwoord: C. De weerstand en de contactweerstand van de elektrodedelen verlagen

Silicide is een verbinding van metaal en silicium met een laagweerstand die meer dan een orde van grootte lager is dan die van een siliciumdiffusielaag; NiSi heeft bijvoorbeeld ongeveer 15 µΩ·cm. Silicidatie van het oppervlak van source, drain en gate verlaagt de laagweerstand en de contactweerstand met de bedrading. Metaal wordt over het hele oppervlak aangebracht en verhit, zodat alleen de delen die met silicium in contact zijn reageren en het niet-gereageerde metaal wordt verwijderd; zo wordt het zonder masker zelfuitgelijnd gevormd, wat salicide wordt genoemd. Het materiaal is per generatie veranderd van TiSi2 via CoSi2 naar NiSi.