Was ist der Zweck der Bildung von Silizid wie NiSi auf der Oberfläche von Source, Drain und Gate von Transistoren?

Antwort: C. Den Widerstand und den Kontaktwiderstand der Elektrodenbereiche zu senken

Silizide sind Verbindungen aus Metall und Silizium, deren Schichtwiderstand mehr als eine Größenordnung unter dem der Diffusionsgebiete aus Silizium liegt; NiSi hat z. B. etwa 15 µΩ·cm. Werden Oberflächen von Source, Drain und Gate silizidiert, sinken Schichtwiderstand und Kontaktwiderstand zur Leitung. Da das Metall ganzflächig abgeschieden und getempert wird, nur die Bereiche in Kontakt mit Silizium reagieren und nicht reagiertes Metall entfernt wird, entsteht es selbstjustiert ohne Maske; dies heißt Salicide. Das Material wechselte mit den Generationen über TiSi2 und CoSi2 zu NiSi.