Quelle est la principale raison pour laquelle la résistivité effective d'une interconnexion en Cu augmente lorsque sa largeur devient très faible ?

Réponse : B. Parce que la diffusion des électrons en surface et aux joints de grains augmente, et que la proportion occupée par la couche barrière résistive augmente aussi

Lorsque la largeur de l'interconnexion devient comparable ou inférieure au libre parcours moyen des électrons (environ 40 nm pour le Cu), la diffusion des électrons en surface et aux joints de grains augmente, et la résistivité peut atteindre plusieurs fois la valeur massive. Dans les interconnexions fines, les grains sont aussi plus petits, ce qui accroît encore la diffusion aux joints de grains. De plus, la couche barrière, qui exige une épaisseur minimale, occupe une plus grande part de la section. C'est pourquoi de nouveaux matériaux à libre parcours moyen court, comme le cobalt, le ruthénium ou le molybdène, sont étudiés et introduits.