배선 공정
트랜지스터의 소스·드레인이나 게이트 표면에 NiSi 등의 실리사이드를 형성하는 목적은?
- A전극 부분을 절연하기 위해
- B표면을 빛나게 하여 검사하기 쉽게 하기 위해
- C전극 부분의 저항과 접촉 저항을 낮추기 위해
정답과 해설 보기
정답: C. 전극 부분의 저항과 접촉 저항을 낮추기 위해
실리사이드는 금속과 실리콘의 화합물로, 면저항이 실리콘 확산층보다 한 자릿수 이상 낮으며 예를 들어 NiSi는 약 15 µΩ·cm입니다. 소스·드레인이나 게이트 표면을 실리사이드화하면 면저항과 배선과의 접촉 저항을 낮출 수 있습니다. 금속을 전면에 성막하여 열처리하고 실리콘과 접하는 부분만 반응시켜 미반응 금속을 제거하므로, 마스크 없이 자기 정렬적으로 형성할 수 있으며 이를 샐리사이드라고 합니다. TiSi2, CoSi2, NiSi로 세대에 따라 재료가 바뀌어 왔습니다.